当前位置：研究了量子阱中的价带混合、能带扭曲和阱间空穴气的耦合。
但对量子阱线中带电激子体系的研究很少，所以本文主要研究量子阱线中带电激子的*质。
蓝移的大小与量子阱的宽度，阱距表面深度，注入离子剂量，能量，及退火条件有关。
第五章，介绍了一种含有负折*率材料的光子晶体量子阱结构。
介绍了能带混合量子阱中的多能谷混合和异质谷间转移电子效应。
从理论上推出多量子阱垂直腔面发*半导体激光器的速率方程。
净应力是失配位错增殖的驱动力，是应变多量子阱稳定的重要判据。
量子阱结构超辐*发光二极管具有良好的温度特*和一致*。
重点设计了量子阱结构来降低阈值电流，提高输出光功率。
数值计算结果表明，量子阱中界面声子与电子的相互作用是不可忽略的。
利用金属镜面微腔激光器中真空场和量子阱中电子态函数，对比了TE模和TM模的自发发*谱。
在计算中考虑量子阱具有无限高势垒，计算了杂质态结合能随阱宽、杂质位置和电场强度的变化规律。
提出了采用选择区域量子阱混合的方法，使集成器件两工作区域具有不同的中心波长。
文中通过求解薛定谔方程得到抛物形量子阱的变换矩阵与透*系数。
量子阱奥古斯塔是一个标兵的凹印目录市场，生产的产品的一些北美最大的编目。
模拟表明，在恒定的偏置电流下，沿集电结方向移动量子阱能显著提高光学带宽。
研究结果表明，在存在表面这样的量子阱结构中，虽然系统不含有能带论要求的晶格周期*，但在作约10毫电子伏跃迁能量修正后，其量子受限特*与能带论的预期仍然是一致的。
当存在光激发时，量子阱中基态电子可跃迁到这些弱干涉非定域态上，在外电场作用下形成光电流谱的多峰结构。
因此，SESAM除了其量子阱材料的可饱和吸收效应能启动锁模外，本身的负克尔效应也有助于锁模的自启动。
分析了腔镜反*率、量子阱数等参数对阈值电流、输出光功率的影响，并根据理论计算对器件参数进行了优化设计。